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型号 SP8K31TB1
厂商 Rohm Semiconductor
描述 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
SP8K31TB1 PDF
代理商 SP8K31TB1
标准包装 2,500
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 120 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 5.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 250pF @ 10V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
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